Byssochlamys spp.(ＢＹＳ-1，ＢＹＳ-2)の子嚢胞子形成および菌数測定の条件を確立し，この子嚢胞子の耐熱性および耐ＵＶ性を試験した．

Byssochlamysの子嚢胞子はＰＤＡで30℃，20日間以上の培養によって形成が認められた．胞子の発芽における加熱活性の条件は，70-77.5℃で10分の加熱が必要であった．

BＹS-1のＺ値および80℃におけるＤ値は5.3℃と1.6分で， ＢＹＳ-2は5.1℃と1.0分であった．熱処理において最初はほとんど死滅せず，その後急激に減少する傾向があり，Ｌｔ値(遅滞時間)はＤ値の6〜7倍あった．

Byssochlamysの子嚢胞子の耐ＵＶ性はＤ値が150から185μＷ･min／cm2であった．